Tranzisztor N-MOSFET 600V 4A 48W <1.2R(2.5A) SSS7N60A
Termék leírása
N-MOS 600V 4A 48W <1.2R(2.5A)
Technikai paraméterek
C (in)
1150 pF
C (out)
130 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 db
Dioda Trr(Min.)
415 ns
FET típusa
MOSFET
Funkció
MOS-N-FET-e
G-S védelem
nincs
Gyártó
Samsung
Id(imp)
28 A
Id(T=100)
2,5 A
Id(T=25)
4 A
Idss (max)
250 uA
Idss (min)
25 uA
Láb szám
3 db
Pd
48 W
Rds(on)
1,2 Ohm
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
72 ns
td(on)
18 ns
Technológia
Power-MOSFET (F)
Tokozás
TO-220FP
Tokozás (adatlap szerint)
TO-220F
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
600 V
Vgs
30 v
Vgs(th) min.
2 V