1135 Bp., Kerekes utca 15.

Nyitva tartás: Hétfő - péntek: 8:30 - 17:00

Tel.: 36(1)239-3266

Tranzisztor N-MOSFET 900V 6A/18Ap 125W 2.1R 2SK1082

Cikkszám:

2SK1082

Kiszerelés: 1 darab
Nem rendelhető

PDF Letöltés:

101000000062548875.pdf

Termék leírása

N-MOS 900V 6A/18Ap 125W 2.1R

Összes leírás mutatása

Technikai paraméterek

C (in)

1200 pF

C (out)

140 pF

Csatorna típus

N

D-S védelem

dióda

DB/tokozás

1 darab

Dioda Trr(Min.)

800 n s

FET típusa

MOSFET

Funkció

MOS-N-FET-E

G-S védelem

No

Gyártó

Fuji Electric

Id(imp)

18 A

Id(T=25)

6 A

Idss (max)

500 uA

Idss (min)

10 uA

Láb szám

3 darab

Pd

125 W

Rds(on)

2,1 Ohm

Spec.info

Vgs 30V Low on resistance

Szerelés

furatszerelt ( THT )

td(off)

150 n s

td(on)

35 n s

Technológia

Silicon N Chanel Power Mos Fet

Tokozás

TO-3P ( TO-218 SOT-93 )

Tokozás (adatlap szerint)

TO-3P

Üzemi hőmérséklet

-55...+150 °C

Vds(max)

900 V

Vgs

30 V

Vgs(th) min.

3,5 V

Összes leírás mutatása

összehasonlítás

1.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
2.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
3.

Összehasonlítható termék hely

Törlés