HUN
Tranzisztor N-MOSFET SMD 60V 100A/400Ap 167W 2,8R (100A) TO252 IPD034N06N3G
Cikkszám:
IPD034N06N3G
Kiszerelés:
RaktáronÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
604,65 Ft
767,91 Ft
5 - 24 db
534,87 Ft
679,28 Ft
25 - 49 db
489,76 Ft
622,00 Ft
50 - 99 db
458,62 Ft
582,45 Ft
100 db felett
435,83 Ft
553,50 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
N-MOS SMD 60V 100A/400Ap 167W 2,8R (100A) TO252
Technikai paraméterek
C (in)
8000 pF
C (out)
1700 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
van
DB/tokozás
1 darab
Dioda Trr(Min.)
48 ns
FET típusa
MOSFET
Funkció
High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters
G-S védelem
nincs
Gyártó
Infineon Technologies
Gyártói rendelési szám
IPD034N06N3GATMA1
Id(imp)
400 A
Id(T=100)
100 A
Id(T=25)
100 A
Idss (max)
10 uA
Idss (min)
0,01 uA
Jelzés a tokon
034N06N
Láb szám
3 db
Pd
167 W
Rds(on)
2,8 mOhm
ROHS
igen
Szerelés
felületszerelt ( SMD )
td(off)
63 ns
td(on)
38 ns
Technológia
OptiMOS(TM)3 Power-Transistor
Tokozás
D-PAK ( TO-252 )
Tokozás (adatlap szerint)
PG-TO252-3 ( DPAK )
Üzemi hőmérséklet
-55...+175 °C
Vds(max)
60 V
Vgs
20 V
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2 V