Tranzisztor N-MOSFET SMD Dual-Gate 12V Idss>2mV 1GHz BF998
Termék leírása
N-MOS SMD Dual-Gate 12V Idss>2mV 1GHz
Technikai paraméterek
C (in)
2,1 pF
C (out)
1,05 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
nincs
DB/tokozás
1 db
FET típusa
MOSFET
Funkció
VHF and UHF applications with 12V supply voltage
G-S védelem
van
Gyártó
Philips Semiconductors
Id(T=25)
30 mA
Idss (max)
18 mA
Idss (min)
2 mA
Láb szám
4 db
Max. hőmérséklet
+150 °C
Pd
200 mW
Szerelés
felületszerelt ( SMD )
Technológia
Silicon N-channel dual-gate MOS-FET
Tokozás
SOT-143
Tokozás (adatlap szerint)
SOT-143
Üzemi hőmérséklet
--
Vds(max)
12 V