1135 Bp., Kerekes utca 15.

Nyitva tartás: Hétfő - péntek: 8:30 - 17:00

Tel.: 36(1)239-3266

Tranzisztor N-MOSFET SMD Dual-Gate 12V Idss>5mV 1GHz BF998E6327

Cikkszám:

BF998

Kiszerelés:
Raktáron
Árak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
119,19 Ft
151,37 Ft
5 - 24 db
99,82 Ft
126,77 Ft
25 - 49 db
87,52 Ft
111,15 Ft
50 - 99 db
78,68 Ft
99,92 Ft
100 db felett
72,64 Ft
92,25 Ft

PDF Letöltés:

1090.pdfBF998_Infineon.pdf

Termék leírása

N-MOS SMD Dual-Gate 12V Idss>2mV 1GHz

Összes leírás mutatása

Technikai paraméterek

C (in)

2,1 pF

C (out)

1,1 pF

Csatorna típus

N

D-S védelem

nincs

DB/tokozás

1 db

FET típusa

MOSFET

Funkció

VHF and UHF applications with 12V supply voltage

G-S védelem

nincs

Gyártó

Infineon Technologies

Id(T=25)

30 mA

Idss (max)

15 mA

Idss (min)

5 mA

Jelzés a tokon

MOs

Láb szám

4 db

Max. hőmérséklet

+150 °C

Pd

200 mW

Szerelés

felületszerelt ( SMD )

Technológia

Silicon N-channel dual-gate MOS-FET

Tokozás

SOT-143

Tokozás (adatlap szerint)

SOT-143

Üzemi hőmérséklet

-55...+150 °C

Vds(max)

12 V

Összes leírás mutatása

összehasonlítás

1.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
2.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
3.

Összehasonlítható termék hely

Törlés