HUN
Tranzisztor P-MOSFET 180V 8A 125W 1.7R 2SJ55
Cikkszám:
2SJ55
Kiszerelés:
Nem rendelhetőÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
3 105,21 Ft
3 943,62 Ft
5 - 24 db
2 957,34 Ft
3 755,83 Ft
25 - 49 db
2 734,75 Ft
3 473,13 Ft
50 db felett
2 671,15 Ft
3 392,36 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
P-MOS 180V 8A 125W 1.7R
Technikai paraméterek
C (in)
1000 pF
C (out)
470 pF
Csatorna típus
P
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 db
FET típusa
MOSFET
Funkció
MOS-P-FET-e
G-S védelem
Suppressor
Gyártó
Hitachi
Id(T=25)
8 A
Láb szám
2 db
Pd
125 W
Rds(on)
1,7 Ohm
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
120 ns
td(on)
320 ns
Technológia
Silicon P Chanel Mos Fet
Tokozás
TO-3 ( TO-204 )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-3
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
180 V
Vgs
20 V
