1135 Bp., Kerekes utca 15.

Nyitva tartás: Hétfő - péntek: 8:30 - 17:00

Tel.: 36(1)239-3266

Tranzisztor P-MOSFET 180V 8A 125W 1.7R 2SJ55

Cikkszám:

2SJ55

Kiszerelés:
Nem rendelhető
Árak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
3 105,21 Ft
3 943,62 Ft
5 - 24 db
2 957,34 Ft
3 755,83 Ft
25 - 49 db
2 734,75 Ft
3 473,13 Ft
50 db felett
2 671,15 Ft
3 392,36 Ft

PDF Letöltés:

101000000062545279.pdf

Termék leírása

P-MOS 180V 8A 125W 1.7R

Összes leírás mutatása

Technikai paraméterek

C (in)

1000 pF

C (out)

470 pF

Csatorna típus

P

D-S védelem

dióda

DB/tokozás

1 db

FET típusa

MOSFET

Funkció

MOS-P-FET-e

G-S védelem

Suppressor

Gyártó

Hitachi

Id(T=25)

8 A

Láb szám

2 db

Pd

125 W

Rds(on)

1,7 Ohm

Szerelés

furatszerelt ( THT )

td(off)

120 ns

td(on)

320 ns

Technológia

Silicon P Chanel Mos Fet

Tokozás

TO-3 ( TO-204 )

Tokozás (adatlap szerint)

TO-3

Üzemi hőmérséklet

-55...+150 °C

Vds(max)

180 V

Vgs

20 V

Összes leírás mutatása

Helyettesítő termékek

BUZ906

Tranzisztor P-MOSFET 200V 8A 125W 100/50nS BUZ906

Tranzisztor P-MOSFET 200V 8A 125W 100/50nS BUZ906 BUZ906

Raktáron

Bruttó:

7 490,30 Ft

Nettó:

5 897,87 Ft

Tranzisztor P-MOSFET 200V 8A 125W 100/50nS BUZ906 BUZ906

összehasonlítás

1.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
2.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
3.

Összehasonlítható termék hely

Törlés