Tranzisztor NPN Darlington+D 120V 30A 200W 4MHz MJ11016G
Termék leírása
SI-N DARL+D 120V 30A 200W 4MHz
Technikai paraméterek
B ellenállás
--
B-E dióda
nincs
B-E ellenállás
--
C (in)
4 pF
C (out)
--
C-E dióda
nincs
Darlington?
igen
DB/tokozás
1 db
Félvezető anyaga
Si
fT
4 MHz
Gyártó
ON Semiconductor
hFE max.
--
hFE min.
1000
Ic
30 A
Ic(puls)
--
Infó1
hFE:1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc)
Infó2
R1: 8 Kohm, R2: 40ohm
Láb szám
2 db
Pd
200 W
ROHS
igen
Spec.info
Párja: MJ11015
Szerelés
furatszerelt ( THT )
Tokozás
TO-3 ( TO-204 )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-3 ( TO-204 )
Tranzisztor típus
NPN
Üzemi hőmérséklet
-55...+200 °C
Vcbo
120 V
VCE(sat)
3 V
Vceo
120 V
Vebo
5 V