1135 Budapest, Kerekes utca 15.

Nyitva tartás: Hétfő - péntek: 8:30 - 17:00

SI-P DARL+D 120V 30A 200W 4MHz

Cikkszám:

MJ11015G

Kiszerelés: 1 darab
Raktáron
Árak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
1 843,37 Ft
2 341,08 Ft
5 - 24 db
1 762,59 Ft
2 238,49 Ft
25 - 49 db
1 693,05 Ft
2 150,17 Ft
50 db felett
1 637,61 Ft
2 079,76 Ft

PDF Letöltés:

2957.pdf

Termék leírása

SI-P DARL+D 120V 30A 200W 4MHz

Összes leírás mutatása

Technikai paraméterek

B ellenállás

--

B-E dióda

nincs

B-E ellenállás

--

C (in)

--

C (out)

--

C-E dióda

nincs

Darlington?

igen

DB/tokozás

2 darab

Félvezető anyaga

Si

fT

4 MHz

Funkció

hFE:1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc)

Gyártó

ON Semiconductor

Gyártói rendelési szám

MJ11015G

hFE max.

--

Ic

30 A

Ic(puls)

--

Infó1

R1: 8Kohm, R2: 40ohm

Láb szám

2 darab

Pd

200 W

ROHS

igen

Spec.info

Párja: MJ11016

Szerelés

furatszerelt ( THT )

Tokozás

TO-3 ( TO-204 )

Tokozás (adatlap szerint)

TO-3

Tranzisztor típus

PNP

Üzemi hőmérséklet

-55...+200 °C

Vcbo

120 V

VCE(sat)

3 V

Vceo

120 V

Vebo

5 V

Összes leírás mutatása

Helyettesítő termékek

MJ11033

SI-P DARL+D 120V 50A/100Ap. 300W SL

SI-P DARL+D 120V 50A/100Ap. 300W SL MJ11033

Raktáron

Bruttó:

2 725,98 Ft

SI-P DARL+D 120V 50A/100Ap. 300W SL MJ11033

összehasonlítás

1.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
2.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
3.

Összehasonlítható termék hely

Törlés