Tranzisztor N-MOSFET 500V 6A/18Ap 80W 1.2R 2SK1010
Termék leírása
N-MOS 500V 6A/18Ap 80W 1.2R
Technikai paraméterek
C (in)
700 pF
C (out)
100 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 darab
Dioda Trr(Min.)
350 n s
FET típusa
MOSFET
Funkció
MOS-N-FET-e
G-S védelem
No
Gyártó
Fuji Electric
Id(imp)
18 A
Id(T=25)
6 A
Idss (max)
500 uA
Idss (min)
10 uA
Láb szám
3 darab
Pd
80 W
Rds(on)
1,6 Ohm
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
80 n s
td(on)
20 n s
Technológia
V-MOS
Tokozás
TO-220
Tokozás (adatlap szerint)
TO-220
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
500 V
Vgs
30 V
Vgs(th) min.
3,5 V