HUN
GT60M104 N-IGBT 900V 60A/120Ap 200W Vce(sat)2.4V
Cikkszám:
GT60M104
Kiszerelés:
Nincs raktáron, előrendelhetőÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
3 041,80 Ft
3 863,09 Ft
5 - 14 db
2 855,42 Ft
3 626,38 Ft
15 - 29 db
2 668,63 Ft
3 389,16 Ft
30 db felett
2 478,23 Ft
3 147,35 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
N-IGBT 900V 60A/120Ap 200W Vce(sat)2.4V
Technikai paraméterek
C (in)
5300 pF
C-E dióda
nincs
Csatorna típus
N
Funkció
High Power Switching Applications
G-E Dióda
nincs
Gyártó
TOSHIBA
Gyártói rendelési szám
GT60M104
Ic
60 A
Ic(puls)
120 A
Ic(T=100°C)
50 A
Jelzés a tokon
--
Láb szám
3 db
Pd
200 W
ROHS
igen
Spec.info
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
0,5 ns
td(on)
0,35 ns
Tokozás
TO-264 ( TOP-3L )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-264 ( 2-21F2C )
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
VCE(sat)
2,4 V
VCE(sat)max.
3,7 V
Vceo
900 V
VGE
25 V
VGE(th) min.
3 V
VGE(th)max.
6 V