HUN
FGA6540WDF N-IGBT 650V 80A/120Ap 238W Vce(sat)1.8V - 2.3V
Cikkszám:
FGA6540WDF
Kiszerelés:
RaktáronÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
1 975,70 Ft
2 509,14 Ft
5 - 9 db
1 832,10 Ft
2 326,77 Ft
10 - 24 db
1 731,50 Ft
2 199,01 Ft
25 - 49 db
1 639,80 Ft
2 082,55 Ft
50 db felett
1 572,40 Ft
1 996,95 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
N-IGBT 650V 80A/120Ap 238W Vce(sat)1,8V - 2,3V, Feild Stop IGBT. Low Saturation Voltage: VCE(sat)=1.8 V(Typ.) @ IC=40A
Technikai paraméterek
C (in)
1525 pF
C (out)
60 pF
C-E dióda
van
Csatorna típus
N
Dioda Trr(Min.)
101 ns
Funkció
High Input Impedance, Fast Switching
G-E Dióda
nincs
Gyártó
ON Semiconductor
Gyártói rendelési szám
FGA60N65SMD
Ic
80 A
Ic(puls)
120 A
Ic(T=100°C)
40 A
Jelzés a tokon
FGA6540WDF
Láb szám
3 db
Pd
238 W
ROHS
igen
súly
6,401 g
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
54,4 ns
td(on)
16,8 ns
Technológia
Field Stop Trench IGBT
Tokozás
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-3PN
Üzemi hőmérséklet
-55...+175 °C
VCE(sat)
1,8 V
VCE(sat)max.
2,3 V
Vceo
650 V
VGE
20 V
VGE(th) min.
4,1 V
VGE(th)max.
7,6 V