HUN
MBQ60T65PES N-IGBT 650V 100A/180Ap 535W Vce(sat) 1,85V
Cikkszám:
MBQ60T65PES
Kiszerelés:
RaktáronÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
1 764,80 Ft
2 241,30 Ft
5 - 14 db
1 569,40 Ft
1 993,14 Ft
15 - 29 db
1 418,50 Ft
1 801,50 Ft
30 - 59 db
1 309,20 Ft
1 662,68 Ft
60 db felett
1 235,70 Ft
1 569,34 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
N-IGBT 650V 100A/180Ap 535W Vce(sat) 1,85VThis IGBT is produced using advanced Magnachip’s Field Stop.Trench IGBT 2nd Generation Technology.
Technikai paraméterek
C-E dióda
van
Csatorna típus
N
Csomagolás
műanyag cső
Csomagolási egység
30 db
Funkció
--
G-E Dióda
nincs
Gyártó
MagnaChip Semiconductor
Ic
100 A
Ic(puls)
180 A
Ic(T=100°C)
60 A
Jelzés a tokon
60T65PES
Láb szám
3 db
Pd
535 W
ROHS
igen
Spec.info
--
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
142 ns
td(on)
45 ns
Technológia
High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation
Tokozás
TO-247
Tokozás (adatlap szerint)
TO-247
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
VCE(sat)
1,85 V
VCE(sat)max.
2,4 V
Vceo
650 V
VGE
20 V
VGE(th) min.
4 V
VGE(th)max.
6 V