1135 Bp., Kerekes utca 15.

Nyitva tartás: Hétfő - péntek: 8:30 - 17:00

Tel.: 36(1)239-3266

RJP30E4 N-IGBT 360V 40A 30W 150nS

Cikkszám:

RJP30E4

Kiszerelés:
Raktáron
Árak
Nettó
Bruttó
1 - 2 db
1 284,50 Ft
1 631,32 Ft
3 - 5 db
1 168,40 Ft
1 483,87 Ft
6 - 11 db
1 087,60 Ft
1 381,25 Ft
12 - 24 db
1 023,90 Ft
1 300,35 Ft
25 db felett
971,80 Ft
1 234,19 Ft

PDF Letöltés:

RJP30E4

Termék leírása

N-IGBT 360V 40A 30W 150nS

Összes leírás mutatása

Technikai paraméterek

C (in)

85 pF

C (out)

40 pF

C-E dióda

nincs

Csatorna típus

N

Csomagolás

--

Csomagolási egység

--

Dioda Trr(Min.)

--

Funkció

IGBT

G-E Dióda

nincs

Gyártó

Renesas Technology

Gyártói rendelési szám

RJP30E4

Ic

30 A

Ic(puls)

250 A

Ic(T=100°C)

--

Jelzés a tokon

--

Láb szám

3 db

Pd

30 W

ROHS

igen

Spec.info

150nS 30W 40A

Szerelés

felületszerelt ( SMD )

td(off)

90 ns

td(on)

40 ns

Tokozás

D2PAK ( TO-263 )

Tokozás (adatlap szerint)

D2PAK ( TO-263 )

Üzemi hőmérséklet

-55...+150 °C

VCE(sat)

1,6 V

Vceo

360 V

VGE

30 V

VGE(th) min.

2,5 V

VGE(th)max.

5 V

Összes leírás mutatása

összehasonlítás

1.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
2.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
3.

Összehasonlítható termék hely

Törlés