RJP30E4 N-IGBT 360V 40A 30W 150nS
Termék leírása
N-IGBT 360V 40A 30W 150nS
Technikai paraméterek
C (in)
85 pF
C (out)
40 pF
C-E dióda
nincs
Csatorna típus
N
Csomagolás
--
Csomagolási egység
--
Dioda Trr(Min.)
--
Funkció
IGBT
G-E Dióda
nincs
Gyártó
Renesas Technology
Gyártói rendelési szám
RJP30E4
Ic
30 A
Ic(puls)
250 A
Ic(T=100°C)
--
Jelzés a tokon
--
Láb szám
3 db
Pd
30 W
ROHS
igen
Spec.info
150nS 30W 40A
Szerelés
felületszerelt ( SMD )
td(off)
90 ns
td(on)
40 ns
Tokozás
D2PAK ( TO-263 )
Tokozás (adatlap szerint)
D2PAK ( TO-263 )
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
VCE(sat)
1,6 V
Vceo
360 V
VGE
30 V
VGE(th) min.
2,5 V
VGE(th)max.
5 V