GT30J324 N-IGBT 600V+D 30A/60Ap 170W Vce(sat)2.45V

C (in)

4650 pF

C-E dióda

van

Csatorna típus

N

Funkció

High Power Switching Applications

G-E Dióda

nincs

Gyártó

TOSHIBA

Gyártói rendelési szám

GT30J324

Ic

30 A

Ic(puls)

60 A

Ic(T=100°C)

--

Jelzés a tokon

--

Láb szám

3 db

Max. hőmérséklet

+150 °C

Pd

170 W

ROHS

igen

Spec.info

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs

Szerelés

furatszerelt ( THT )

td(off)

0,3 ns

td(on)

0,09 ns

Tokozás

TO-3PN ( 2-16C1B )

Tokozás (adatlap szerint)

TO-3P

Üzemi hőmérséklet

--

VCE(sat)

2 V

VCE(sat)max.

2,45 V

Vceo

600 V

VGE

20 V

VGE(th) min.

3,5 V

VGE(th)max.

6,5 V