GT35J321 N-IGBT 600V+D 37A/100Ap 75W Vce(sat) 1.9 - 2.3V

C-E dióda

van

Csatorna típus

N

Funkció

High Power Switching Applications

G-E Dióda

nincs

Gyártó

TOSHIBA

Gyártói rendelési szám

GT35J321

Ic

37 A

Ic(puls)

100 A

Ic(T=100°C)

18 A

Jelzés a tokon

--

Láb szám

3 db

Max. hőmérséklet

+150 °C

Pd

75 W

ROHS

igen

Spec.info

Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs

Szerelés

furatszerelt ( THT )

td(off)

0,51 ns

td(on)

0,33 ns

Tokozás

TO-3P( N )IS

Tokozás (adatlap szerint)

TO-3P

Üzemi hőmérséklet

--

VCE(sat)

1,9 V

VCE(sat)max.

2,3 V

Vceo

600 V

VGE

25 V

VGE(th) min.

--

VGE(th)max.

--