RJH30H2DPK-M0 N-IGBT+D 300V 35A/250Ap. 60W Vce(sat)1.4V

C (in)

1200 pF

C (out)

80 pF

C-E dióda

van

Csatorna típus

N

Csomagolás

--

Csomagolási egység

--

Dioda Trr(Min.)

23 ns

Ezekhez a készülékekhez

Samsung PS42C450B1WXXU

Funkció

High Speed Power Switching

G-E Dióda

nincs

Gyártó

Renesas Technology

Gyártói rendelési szám

RJH30H2DPK-M0

Ic

35 A

Ic(puls)

250 A

Ic(T=100°C)

--

Jelzés a tokon

--

Láb szám

3 db

Pd

60 W

ROHS

igen

Spec.info

trr: 0.06uS

Szerelés

furatszerelt ( THT )

td(off)

0,06 ns

td(on)

0,02 ns

Technológia

Trench gate and thin wafer technology G6H-II ser

Tokozás

TO-3PN ( 2-16C1B )

Tokozás (adatlap szerint)

TO-3PSG

Üzemi hőmérséklet

-55...+150 °C

VCE(sat)

1,4 V

VCE(sat)max.

1,9 V

Vceo

300 V

VGE

30 V

VGE(th) min.

2,5 V

VGE(th)max.

5 V