GT30J322 N-IGBT+D 600V 30A/100Ap 75W Vce(sat)2.1V

Cikkszám:

GT30J322

Kiszerelés:

Raktáron

Helyettesítő termék létezik

1 - 4 db

1 692,18 Ft

2 149,07 Ft

5 - 9 db

1 538,36 Ft

1 953,72 Ft

10 - 24 db

1 422,56 Ft

1 806,65 Ft

25 db felett

1 323,30 Ft

1 680,59 Ft

PDF Letöltés:

Termék leírása

N-IGBT+D 600V 30A/100Ap 75W Vce(sat)2.1V

Technikai paraméterek

C-E dióda
van
Csatorna típus
N
Funkció
Current Resonance Inverter Switching
G-E Dióda
nincs
Gyártó
TOSHIBA
Ic
30 A
Ic(puls)
100 A
Jelzés a tokon
--
Láb szám
3 db
Pd
75 W
ROHS
igen
Spec.info
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
400 ns
td(on)
30 ns
Tokozás
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-3P( GCE )
Üzemi hőmérséklet
-40...+150 °C
VCE(sat)
2,1 V
VCE(sat)max.
2,1 V
Vceo
600 V
VGE
--
VGE(th) min.
--
VGE(th)max.
--