HUN
GT30J322 N-IGBT+D 600V 30A/100Ap 75W Vce(sat)2.1V
Cikkszám:
GT30J322
Kiszerelés:
RaktáronÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
1 692,18 Ft
2 149,07 Ft
5 - 9 db
1 538,36 Ft
1 953,72 Ft
10 - 24 db
1 422,56 Ft
1 806,65 Ft
25 db felett
1 323,30 Ft
1 680,59 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
N-IGBT+D 600V 30A/100Ap 75W Vce(sat)2.1V
Technikai paraméterek
C-E dióda
van
Csatorna típus
N
Funkció
Current Resonance Inverter Switching
G-E Dióda
nincs
Gyártó
TOSHIBA
Ic
30 A
Ic(puls)
100 A
Jelzés a tokon
--
Láb szám
3 db
Pd
75 W
ROHS
igen
Spec.info
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
400 ns
td(on)
30 ns
Tokozás
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-3P( GCE )
Üzemi hőmérséklet
-40...+150 °C
VCE(sat)
2,1 V
VCE(sat)max.
2,1 V
Vceo
600 V
VGE
--
VGE(th) min.
--
VGE(th)max.
--