HUN
GT50J325 N-IGBT+D 600V 50A/100Ap 240W Vce(sat)2.0V
Cikkszám:
GT50J325
Kiszerelés:
Nincs raktáron, előrendelhetőÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
3 790,31 Ft
4 813,69 Ft
5 - 9 db
3 575,75 Ft
4 541,20 Ft
10 - 24 db
3 229,74 Ft
4 101,77 Ft
25 db felett
2 979,82 Ft
3 784,37 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
N-IGBT+D 600V 50A/100Ap 240W Vce(sat)2.0V
Technikai paraméterek
C (in)
7900 pF
C-E dióda
van
Csatorna típus
N
Funkció
Fast Switching (50KHz), High Power Sw.
G-E Dióda
nincs
Gyártó
TOSHIBA
Ic
50 A
Ic(puls)
100 A
Ic(T=100°C)
50 A
Jelzés a tokon
--
Láb szám
3 db
Pd
240 W
ROHS
igen
Spec.info
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBTs
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
300 ns
td(on)
240 ns
Tokozás
TO-264 ( TOP-3L )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-264 ( 2-21F2C )
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
VCE(sat)
2 V
VCE(sat)max.
2 V
Vceo
600 V
VGE
20 V
VGE(th) min.
--
VGE(th)max.
--