NGTB40N65IHL2WG N-IGBT+D 650V 80A/160Ap 300W (40A) Vce(sat)1.8V
Cikkszám:
NGTB40N65IHL2WG
Termék leírása
N-IGBT+D 650V 80A/160Ap 300W (40A) Vce(sat)1.8V
Technikai paraméterek
C (in)
3200 pF
C (out)
130 pF
C-E dióda
van
Csatorna típus
N
Csomagolás
műanyag cső
Csomagolási egység
30 db
Dioda Trr(Min.)
465 ns
Funkció
This device is for PFC, UPS & Inverter applications
G-E Dióda
nincs
Gyártó
ON Semiconductor
Gyártói rendelési szám
NGTB40N65IHL2WG
Ic
80 A
Ic(puls)
160 A
Ic(T=100°C)
40 A
Jelzés a tokon
40N65IHL2
Láb szám
3 db
Pd
300 W
ROHS
igen
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
150 ns
td(on)
140 ns
Technológia
Extremely Efficient Trench with Fieldstop Technology
Tokozás
TO-247
Tokozás (adatlap szerint)
TO-247AB
Üzemi hőmérséklet
-55...+175 °C
VCE(sat)
1,8 V
VCE(sat)max.
2,2 V
Vceo
650 V
VGE
20 V
VGE(th) min.
4,5 V
VGE(th)max.
6,5 V