HUN
Tranzisztor N-MOSFET 1000V 4A/12Ap 100W 3R 2SK1119
Cikkszám:
2SK1119
Kiszerelés:
Nincs raktáron, előrendelhetőÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
678,68 Ft
861,92 Ft
5 - 24 db
623,48 Ft
791,82 Ft
25 - 49 db
583,82 Ft
741,45 Ft
50 db felett
550,97 Ft
699,73 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
N-MOS 1000V 4A/12Ap 100W 3R
Technikai paraméterek
C (in)
700 pF
C (out)
100 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 db
FET típusa
MOSFET
Funkció
MOS-N-FET-e
G-S védelem
nincs
Gyártó
TOSHIBA
Id(imp)
12 A
Id(T=25)
4 A
Idss (max)
300 uA
Láb szám
3 db
Pd
100 W
Rds(on)
3 Ohm
Spec.info
High Speed High Current Switching Applications
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
70 ns
td(on)
30 ns
Technológia
Silicon N Channel Mos Fet
Tokozás
TO-220
Tokozás (adatlap szerint)
TO-220
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
1000 V
Vgs
20 V
Vgs(th) min.
2 V