1135 Bp., Kerekes utca 15.

Nyitva tartás: Hétfő - péntek: 8:30 - 17:00

Tel.: 36(1)239-3266

Tranzisztor N-MOSFET 1000V 4A/12Ap 100W 3R 2SK1119

Cikkszám:

2SK1119

Kiszerelés: 1 darab
Raktáron
Árak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
536,37 Ft
681,19 Ft
5 - 24 db
492,74 Ft
625,78 Ft
25 - 49 db
461,40 Ft
585,98 Ft
50 db felett
435,43 Ft
553,00 Ft

PDF Letöltés:

101000000062550757.pdf

Termék leírása

N-MOS 1000V 4A/12Ap 100W 3R

Összes leírás mutatása

Technikai paraméterek

C (in)

700 pF

C (out)

100 pF

Csatorna típus

N

D-S védelem

dióda

DB/tokozás

1 darab

FET típusa

MOSFET

Funkció

MOS-N-FET-e

G-S védelem

nincs

Gyártó

TOSHIBA

Id(imp)

12 A

Id(T=25)

4 A

Idss (max)

300 uA

Láb szám

3 darab

Pd

100 W

Rds(on)

3 Ohm

Spec.info

High Speed High Current Switching Applications

Szerelés

furatszerelt ( THT )

td(off)

70 n s

td(on)

30 n s

Technológia

Silicon N Channel Mos Fet

Tokozás

TO-220

Tokozás (adatlap szerint)

TO-220

Üzemi hőmérséklet

-55...+150 °C

Vds(max)

1000 V

Vgs

20 V

Vgs(th) min.

2 V

Összes leírás mutatása

összehasonlítás

1.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
2.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
3.

Összehasonlítható termék hely

Törlés