HUN
Tranzisztor N-MOSFET 1000V 6.1A/24Ap 190W 2R (3.9A) IRFPG50PBF
Cikkszám:
IRFPG50
Kiszerelés:
RaktáronÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
1 215,52 Ft
1 543,71 Ft
5 - 9 db
1 053,37 Ft
1 337,78 Ft
10 - 24 db
943,91 Ft
1 198,77 Ft
25 - 49 db
873,91 Ft
1 109,87 Ft
50 db felett
832,16 Ft
1 056,84 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
N-MOS 1000V 6.1A/24Ap 190W 2R (3.9A)
Technikai paraméterek
C (in)
2800 pF
C (out)
250 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
van
DB/tokozás
1 db
Dioda Trr(Min.)
630 ns
FET típusa
MOSFET
Funkció
Fast switch
G-S védelem
nincs
Gyártó
VISHAY
Gyártói rendelési szám
IRFPG50PBF
Id(imp)
24 A
Id(T=100)
3,9 A
Id(T=25)
6,1 A
Idss (max)
500 uA
Idss (min)
100 uA
Pd
190 W
Rds(on)
2 Ohm
ROHS
igen
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
130 ns
td(on)
19 ns
Technológia
HEXFET® Power MOSFET
Tokozás
TO-247
Tokozás (adatlap szerint)
TO-247AC
Üzemi hőmérséklet
-55...+150°C
Vds(max)
1000 V
VGE(th) min.
2 V
Vgs(th) max.
4 v