HUN
Tranzisztor N-MOSFET 200V 8A 125W 100/50nS ECX10N20
Cikkszám:
ECX10N20
PDF Letöltés:
Termék leírása
Az EXICON Mosfet készülékeket kifejezetten nagy teljesítményű lineáris használatra tervezték. Nagyfeszültségű képességet, nagy sebességet és alacsony torzulást kínálnak, így ideális választás az audióerősítő tervezéséhez. Ezek az előnyök a széles sávszélességgel, az alacsony meghajtóigénnyel és a könnyű párhuzamítással együtt lehetővé teszik a kiváló hangtulajdonságokkal rendelkező robusztus erősítők egyszerű felépítését. Az ECX10N20 a 2SK1058 megfelelő helyettesítője, helyettesítője vagy azzal egyenértékű. bekötése: 1 - Gate, 2 - Source, 3 - Drain - az elterjedtebb szokásostól ez eltér (nem G D S hanem G S D)
Technikai paraméterek
bekötés
1 - G, 2 - S, 3 - D
C (in)
500 pF
C (out)
300 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
nincs
DB/tokozás
1 darab
Egyéb funkciók
HI-FI Power Amplifie
FET típusa
MOSFET
Funkció
AUDIO POWER Amplifier MOSFET
G-S védelem
nincs
Gyártó
Exicon
Id(T=25)
8 A
Idss (max)
10 mA
Idss (min)
--
Láb szám
3 db
Pd
125 W
ROHS
igen
Spec.info
Párja: ECX10P20
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
50 ns
td(on)
100 ns
Technológia
N–CHANNEL POWER MOSFET
Tokozás
TO-247
Tokozás (adatlap szerint)
TO-247
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
200 V
Vgs
14 V
VGS(off) max.
1,5 V
VGS(off) min.
0,15 V