Tranzisztor N-MOSFET 900V 8A/23Ap 100W 1.5R 2SK1217
Termék leírása
N-MOS 900V 8A/23Ap 100W 1.5R
Technikai paraméterek
C (in)
1400 pF
C (out)
200 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 darab
Dioda Trr(Min.)
1000 n s
FET típusa
MOSFET
Funkció
Low Driving Power High Speed Switching
G-S védelem
nincs
Gyártó
Fuji Electric
Id(imp)
23 A
Id(T=25)
8 A
Idss (max)
500 uA
Idss (min)
10 uA
IGF
--
Láb szám
3 darab
Pd
100 W
Rds(on)
1,5 Ohm
ROHS
igen
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
300 n s
td(on)
50 n s
Technológia
V-MOS
Tokozás
TO-3PF ( SOT399, 2-16E3A )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-3PF
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
900 V
Vgs
30 V
VGS(off) min.
--
Vgs(th) max.
5 V
Vgs(th) min.
2,5 V