Tranzisztor N-MOSFET SMD 30V 6A Idm:24Ap. 8.3W 0.080R BSP100
Termék leírása
N-MOS SMD 30V 6A Idm:24Ap. 8.3W 0.080R
Technikai paraméterek
C (in)
250 pF
C (out)
88 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 db
Dioda Trr(Min.)
69 ns
FET típusa
MOSFET
Funkció
Fast Switching
G-S védelem
nincs
Gyártó
NXP Semiconductors
Id(imp)
24 A
Id(T=100)
4,4 A
Id(T=25)
6 A
Idss (max)
100 nA
Idss (min)
10 nA
Láb szám
4 db
Pd
8,3 W
Rds(on)
0,8 Ohm
ROHS
igen
Szerelés
felületszerelt ( SMD )
td(off)
21 ns
td(on)
6 ns
Technológia
Enhancement mode,TrenchMOS transistor
Tokozás
SOT-223 ( TO-226 )
Tokozás (adatlap szerint)
SOT-223
Üzemi hőmérséklet
-65...+150 °C
Vds(max)
30 V
Vgs
20 V
Vgs(th) max.
2,8 V
Vgs(th) min.
1 V