HUN
Tranzisztor N-MOSFET+Z 900V 4A IDp:12A 40W 2.5R SW-Reg. 2SK3798
Cikkszám:
2SK3798
Kiszerelés:
Nincs raktáron, előrendelhetőÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
1 772,56 Ft
2 251,15 Ft
5 - 9 db
1 617,97 Ft
2 054,82 Ft
10 - 24 db
1 507,24 Ft
1 914,19 Ft
25 db felett
1 434,90 Ft
1 822,32 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
N-MOS+Z 900V 4A IDp:12A 40W 2.5R SW-Reg.
Technikai paraméterek
C (in)
800 pF
C (out)
85 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
van
DB/tokozás
1 db
Dioda Trr(Min.)
1100 ns
FET típusa
MOSFET
Funkció
Switch Regulator
G-S védelem
van
Gyártó
TOSHIBA
Id(imp)
12 A
Id(T=25)
4 A
Idss (max)
100 uA
Idss (min)
-
Jelzés a tokon
K3798
Max. hőmérséklet
+150°C
Rds(on)
2,5 Ohm
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
165 ns
td(on)
65 ns
Technológia
Field Effect (TT-MOSIV)
teljesítmény
40 W
Tokozás
TO-220FP
Tokozás (adatlap szerint)
TO-220F
Vds(max)
900 V
Vgs
30 v
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2 V