Tranzisztor N-MOSFET+Z 900V 9A IDp:27A 150W 1.1R (4A) 2SK2611

Cikkszám:

2SK2611

Kiszerelés:

Raktáron

Helyettesítő termék létezik

1 - 4 db

1 172,69 Ft

1 489,31 Ft

5 - 9 db

1 045,77 Ft

1 328,13 Ft

10 - 24 db

949,12 Ft

1 205,39 Ft

25 - 49 db

876,79 Ft

1 113,52 Ft

50 db felett

833,24 Ft

1 058,21 Ft

PDF Letöltés:

Termék leírása

N-MOS+Z 900V 9A IDp:27A 150W 1.1R (4A)

Technikai paraméterek

C (in)
2040 pF
C (out)
190 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
van
DB/tokozás
1 db
Dioda Trr(Min.)
1,6 us
FET típusa
MOSFET
Funkció
High Speed, H.V. Switch, DC-DC Converter, Relay and Motor Drive
G-S védelem
van
Gyártó
TOSHIBA
Id(imp)
27 A
Id(T=100)
--
Id(T=25)
9 A
Idss (max)
100 uA
Idss (min)
--
Jelzés a tokon
K2611
Láb szám
3 db
Max. hőmérséklet
+150 °C
Pd
150 W
Rds(on)
1,1 Ohm
ROHS
igen
Szerelés
felületszerelt ( SMD )
td(off)
95 ns
td(on)
60 ns
Technológia
Field Effect (TT-MOSIII)
Tokozás
TO-3PN ( 2-16C1B )
Tokozás (adatlap szerint)
2-16C1B
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
900 V
Vgs
30 v
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2 V