Tranzisztor P-MOSFET 200V 5A/20Ap 30W 0.8R 2SJ407
Termék leírása
P-MOS 200V 5A/20Ap 30W 0.8R
Technikai paraméterek
C (in)
800 pF
C (out)
270 pF
Csatorna típus
P
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 db
FET típusa
MOSFET
Funkció
MOS-P-FET-e
G-S védelem
van
Gyártó
TOSHIBA
Id(imp)
20 A
Id(T=25)
5 A
Idss (max)
100 uA
Láb szám
3 db
Rds(on)
0,8 Ohm
Szerelés
furatszerelt ( THT )
Technológia
V-MOS (F)
Tokozás
TO-220FP
Tokozás (adatlap szerint)
TO-220FP
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
200 V
Vgs
20 V
Vgs(th) min.
2 V