Tranzisztor P-MOSFET 60V 27A/108Ap 120W 0.083R (19.1A) FQB27P06TM
Termék leírása
P-MOS 60V 27A/108Ap 120W 0.083R (19.1A)
Technikai paraméterek
C (in)
1100 pF
C (out)
510 pF
Csatorna típus
P
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 db
Dioda Trr(Min.)
105 ns
FET típusa
MOSFET
Funkció
Fast switch
G-S védelem
nincs
Gyártó
Fairchild
Id(imp)
102 A
Id(T=100)
19,1 A
Id(T=25)
27 A
Idss (max)
10 uA
Idss (min)
1 uA
IGF
--
Láb szám
2 db
Pd
120 W
Rds(on)
0,055 Ohm
ROHS
igen
Szerelés
felületszerelt ( SMD )
td(off)
30 ns
td(on)
18 ns
Technológia
DMOS, QFET
Tokozás
D2PAK ( TO-263 )
Tokozás (adatlap szerint)
D2PAK ( TO-263 )
Üzemi hőmérséklet
-55...+175 °C
Vds(max)
60 V
Vgs
25 V
Vgs(th) min.
2 V