Tranzisztor P-MOSFET 60V 3A/12Ap. 20W 0.25R 2SJ182L
Termék leírása
P-MOS 60V 3A/12Ap. 20W 0.25R
Technikai paraméterek
C (in)
425 pF
C (out)
225 pF
Csatorna típus
P
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 db
Dioda Trr(Min.)
140 ns
FET típusa
MOSFET
Funkció
High Speed Power Switching
G-S védelem
van
Gyártó
Hitachi
Id(imp)
12 A
Id(T=25)
3 A
Idss
10 uA
Idss (max)
100 uA
Láb szám
3 db
Pd
20 W
Rds(on)
0,28 Ohm
Szerelés
felületszerelt ( SMD )
td(off)
160 ns
td(on)
5 ns
Tokozás
TO-251 ( I-Pak )
Tokozás (adatlap szerint)
I-PAK
Vds(max)
60 V
Vgs
20 V
Vgs(th) min.
1 V