HUN
Tranzisztor P-MOSFET+D 160V 7A 100W 230/110nS 2SJ162
Cikkszám:
2SJ162
Kiszerelés: 1 darab
RaktáronÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
2 147,59 Ft
2 727,44 Ft
5 - 24 db
1 900,53 Ft
2 413,67 Ft
25 - 49 db
1 827,44 Ft
2 320,85 Ft
50 - 99 db
1 754,33 Ft
2 228,00 Ft
100 db felett
1 725,10 Ft
2 190,88 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
P-MOS+D 160V 7A 100W 230/110nS
Technikai paraméterek
C (in)
900 pF
C (out)
400 pF
Csatorna típus
P
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 darab
FET típusa
MOSFET
Funkció
Low Frequency Power Amplifier
G-S védelem
van
Gyártó
Renesas Technology
Id(T=25)
7 A
Idss (max)
7 A
IGF
--
Láb szám
3 darab
Pd
100 W
ROHS
igen
Spec.info
Párja: 2SK1058
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
110 n s
td(on)
230 n s
Technológia
Silicon P-Channel MOS FET
Tokozás
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-3P
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
160 V
Vgs
15 V
VGS(off) min.
0,15 V
Helyettesítő termékek
Tranzisztor P-MOSFET 200V 8A 125W 100/50nS ECX10P20
Raktáron
Bruttó:
2 068,70 Ft
Nettó:
1 628,90 Ft
