Tranzisztor P-MOSFET+D 160V 7A 100W 230/110nS 2SJ162

Cikkszám:

2SJ162

Kiszerelés:

Nem rendelhető

Helyettesítő termék létezik

1 - 4 db

2 345,17 Ft

2 978,36 Ft

5 - 24 db

2 075,38 Ft

2 635,73 Ft

25 - 49 db

1 995,56 Ft

2 534,37 Ft

50 - 99 db

1 915,73 Ft

2 432,98 Ft

100 db felett

1 883,81 Ft

2 392,44 Ft

PDF Letöltés:

Termék leírása

P-MOS+D 160V 7A 100W 230/110nS

Technikai paraméterek

C (in)
900 pF
C (out)
400 pF
Csatorna típus
P
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 db
FET típusa
MOSFET
Funkció
Low frequency power amplifier
G-S védelem
van
Gyártó
Renesas Technology
Id(T=25)
7 A
Idss (max)
7 A
IGF
--
Láb szám
3 db
Pd
100 W
ROHS
igen
Spec.info
Párja: 2SK1058
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
110 ns
td(on)
230 ns
Technológia
Silicon P-Channel MOS FET
Tokozás
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-3P
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
160 V
Vgs
15 V
VGS(off) min.
0,15 V