1135 Budapest, Kerekes utca 15.

Nyitva tartás: Hétfő - péntek: 8:30 - 17:00

P-MOS+D 160V 7A 100W 230/110nS

Cikkszám:

2SJ162

Kiszerelés: 1 darab
Raktáron
Árak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
2 023,73 Ft
2 570,14 Ft
5 - 24 db
1 790,91 Ft
2 274,46 Ft
25 - 49 db
1 722,04 Ft
2 186,99 Ft
50 - 99 db
1 653,15 Ft
2 099,50 Ft
100 db felett
1 625,60 Ft
2 064,51 Ft

PDF Letöltés:

2738.pdf

Termék leírása

P-MOS+D 160V 7A 100W 230/110nS

Összes leírás mutatása

Technikai paraméterek

C (in)

900 pF

C (out)

400 pF

Csatorna típus

P

D-S védelem

dióda

DB/tokozás

1 darab

FET típusa

MOSFET

Funkció

Low Frequency Power Amplifier

G-S védelem

van

Gyártó

Renesas Technology

Id(T=25)

7 A

Idss (max)

7 A

IGF

--

Láb szám

3 darab

Pd

100 W

ROHS

igen

Spec.info

Párja: 2SK1058

Szerelés

furatszerelt ( THT )

td(off)

110 n s

td(on)

230 n s

Technológia

Silicon P-Channel MOS FET

Tokozás

TO-3P ( TO-218 SOT-93 )

Tokozás (adatlap szerint)

TO-3P

Üzemi hőmérséklet

-55...+150 °C

Vds(max)

160 V

Vgs

15 V

VGS(off) min.

0,15 V

Összes leírás mutatása

összehasonlítás

1.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
2.

Összehasonlítható termék hely

Törlés
3.

Összehasonlítható termék hely

Törlés