Tranzisztor P-MOSFET+Z 60V 12A/30Ap 23W 0.13R 2SJ598
Termék leírása
P-MOS+Z 60V 12A/30Ap 23W 0.13R
Technikai paraméterek
C (in)
720 pF
C (out)
150 pF
Csatorna típus
P
D-S védelem
dióda
DB/tokozás
1 db
Dioda Trr(Min.)
50 ns
FET típusa
MOSFET
Funkció
Beépített Gate védő dióda
G-S védelem
van
Gyártó
NEC
Id(imp)
30 A
Id(T=25)
12 A
Idss (max)
12 A
Láb szám
3 db
Pd
23 W
Rds(on)
0,13 Ohm
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
35 ns
td(on)
7 ns
Technológia
P-channel MOS Field Effect Transistor
Tokozás
TO-251 ( I-Pak )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-251 ( I-Pak )
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
60 V
Vgs
20 V