Dióda 1000V 8A/100Ap 65..155nS GI/L BYT08P-1000
Termék leírása
Dióda 1000V 8A/100Ap 65..155nS GI/L
Technikai paraméterek
DB/tokozás
1 db
Dielektrikum felépítés
Anód-Katód
Dioda Trr(Min.)
65 ns
Félvezető anyaga
Si
Gyártó
STMicroelectronics
IF(AV)
8 A
IFSM
100 A
Láb szám
2 db
ROHS
igen
Spec.info
Ifrm: 100Ap tp>10uS (Ifrm:50Ap tp=10mS)
Szerelés
furatszerelt ( THT )
Tokozás
TO-220
Tokozás (adatlap szerint)
TO-220AC
Üzemi hőmérséklet
-40...+150 °C
Vf (max)
1,9 V
Vf (min)
1,4 V
Vrrm
1000 V