Tranzisztor NPN Darlington+D 100/80V 1A 0.8W 200MH BC879
Termék leírása
SI-N DARL+D 100/80V 1A 0.8W 200MH
Technikai paraméterek
B ellenállás
--
B-E dióda
--
B-E ellenállás
--
C (in)
--
C (out)
--
C-E dióda
--
Darlington?
igen
DB/tokozás
1 db
Félvezető anyaga
Si
fT
200 MHz
Funkció
High DC current gain (min.1000)
Gyártó
Philips Semiconductors
hFE max.
2000
hFE min.
1000
Ic
1 A
Ic(puls)
2 A
Láb szám
3 db
Max. hőmérséklet
+150 °C
Pd
0,83 W
ROHS
igen
Szerelés
furatszerelt ( THT )
Tokozás
TO-92
Tokozás (adatlap szerint)
TO-92 ( SOT-54 )
Tranzisztor típus
NPN
Üzemi hőmérséklet
--
Vcbo
100 V
VCE(sat)
1,3 V
Vceo
80 V
Vebo
5 V