Tranzisztor NPN+DR 1600/800V 12A/36Ap. 85W 0.3uS 2SC5696

Cikkszám:

2SC5696

Kiszerelés:

Raktáron

Helyettesítő termék létezik

1 - 4 db

1 042,51 Ft

1 323,99 Ft

5 - 9 db

947,72 Ft

1 203,60 Ft

10 - 24 db

877,53 Ft

1 114,46 Ft

25 - 49 db

820,12 Ft

1 041,55 Ft

50 db felett

781,14 Ft

992,05 Ft

PDF Letöltés:

Termék leírása

SI-N+DR 1600/800V 12A/36Ap. 85W 0.3uS

Technikai paraméterek

B ellenállás
--
B-E dióda
--
B-E ellenállás
van
C (in)
--
C (out)
--
C-E dióda
van
Darlington?
nem
DB/tokozás
1 db
Félvezető anyaga
Si
fT
kHz
Funkció
High speed
Gyártó
SANYO
hFE max.
11
hFE min.
3
Ic
12 A
Ic(puls)
36 A
Jelzés a tokon
C5696
Láb szám
3 db
Max. hőmérséklet
+150 °C
Pd
85 W
ROHS
igen
Szerelés
furatszerelt ( THT )
Technológia
Triple Diffused Planar Silicon Transistor
tf(max)
0,3 us
Tokozás
TO-3PF ( SOT399, 2-16E3A )
Tokozás (adatlap szerint)
TO-3PMLH
Tranzisztor típus
NPN
Üzemi hőmérséklet
--
Vcbo
1600 V
VCE(sat)
3 V
Vceo
800 V
Vebo
5 V