HUN
STGW40H65DFB N-IGBT+D 650V 80A/160Ap 283W Vce(sat)1.6V
Cikkszám:
STGW40H65DFB
Kiszerelés:
RaktáronÁrak
Nettó
Bruttó
1 - 4 db
1 079,80 Ft
1 371,35 Ft
5 - 14 db
956,60 Ft
1 214,88 Ft
15 - 29 db
881,50 Ft
1 119,51 Ft
30 - 59 db
827,90 Ft
1 051,43 Ft
60 db felett
795,70 Ft
1 010,54 Ft
PDF Letöltés:
Termék leírása
N-IGBT+D 650V 80A/160Ap 283W Vce(sat)1.6V
Technikai paraméterek
C (in)
2200 pF
C (out)
225 pF
C-E dióda
van
Csatorna típus
N
Csomagolás
műanyag cső
Csomagolási egység
30 db
Dioda Trr(Min.)
310 ns
Funkció
High speed switching series, Low saturation voltage: VCE(sat)=1.6V (typ.) @ Ic=40A
G-E Dióda
nincs
Gyártó
STMicroelectronics
Gyártói rendelési szám
STGW40H65DFB
Ic
80 A
Ic(puls)
160 A
Ic(T=100°C)
40 A
Jelzés a tokon
GW40H65DFB
Láb szám
3 db
Pd
283 W
ROHS
igen
Spec.info
Trench gate field-stop, high speed HB series IGBT
Szerelés
furatszerelt ( THT )
td(off)
100 ns
td(on)
31 ns
Tokozás
TO-247
Tokozás (adatlap szerint)
TO-247
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
VCE(sat)
1,8 V
VCE(sat)max.
2,5 V
Vceo
600 V
VGE
20 V
VGE(th) min.
3,75 V
VGE(th)max.
5,75 V