Tranzisztor PNP SMD 80V 8A/16Ap. 20W 85MHz MJD45H11T4G
Termék leírása
SI-P SMD 80V 8A/16Ap. 20W 85MHz NF/SL
Technikai paraméterek
B ellenállás
--
B-E dióda
nincs
B-E ellenállás
--
C (in)
--
C (out)
45 pF
C-E dióda
nincs
DB/tokozás
1 darab
Félvezető anyaga
Si
fT
85 MHz
Funkció
Complementary power transistors
Gyártó
ON Semiconductor
Gyártói rendelési szám
MJD45H11T4G
hFE max.
40
hFE min.
60
Ic
8 A
Ic(puls)
16 A
Jelzés a tokon
45H11G
Kiváltója
MJD45H11G, MJD45H11J
Láb szám
3 db
Max. hőmérséklet
+150 °C
Pd
20 W
ROHS
igen
Spec.info
Párja: MJD45H11T4G
Szerelés
felületszerelt ( SMD )
Technológia
Epitaxial Silicon Transistor
tf (typ)
140 ns
Tokozás
D-PAK ( TO-252 )
Tokozás (adatlap szerint)
DPAK CASE 369C
Tranzisztor típus
NPN
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vcbo
80 V
VCE(sat)max.
1 V
Vceo
80 V
Vebo
5 V