Tranzisztor N-MOSFET 180V 10A 120W 0.25R NF-E 2SK1529

Cikkszám:

2SK1529

Kiszerelés:

Korlátozott mennyiség

Helyettesítő termék létezik

1 - 4 db

2 356,38 Ft

2 992,60 Ft

5 - 24 db

2 076,39 Ft

2 637,01 Ft

25 - 49 db

1 812,11 Ft

2 301,38 Ft

50 - 74 db

1 661,11 Ft

2 109,61 Ft

75 db felett

1 560,44 Ft

1 981,75 Ft

PDF Letöltés:

Termék leírása

Nagyon kedvelt termék, de a gyártása megszűnt, a gyártó nem adott meg kiváltó típust, találtunk egy megoldást, garantáltan jó minőségű és paramétereik is megfelelőek.Kiváltója lehet az ECX10N20, tokozása azonos a bekötése ELTÉRŐ.2SKJ200 1-Gate, 2-Drain, 3-Source, ECX10N20, 1-Gate, 2-Source, 3-DrainVárjuk a visszajelzéseket a vevőszolgálaton.

Technikai paraméterek

C (in)
700 pF
C (out)
150 pF
Csatorna típus
N
D-S védelem
nincs
DB/tokozás
1 darab
FET típusa
MOSFET
Funkció
High Power Amplifier Application
G-S védelem
nincs
Gyártó
TOSHIBA
Id(T=25)
10 A
Idss (max)
1 mA
Idss (min)
-
Jelzés a tokon
K1529
Láb szám
3 db
Pd
120 W
ROHS
igen
Spec.info
Párja: 2SJ200
Szerelés
furatszerelt ( THT )
Technológia
Field Effect Silicon N-Channel MOS Type
Tokozás
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Tokozás (adatlap szerint)
2-16C1B
Üzemi hőmérséklet
-55...+150 °C
Vds(max)
180 V
Vgs
20 V
VGS(off) max.
2,8 V
VGS(off) min.
0,8 V